Der Lehrstuhl für Experimentelle Halbleiterphysik am Walter Schottky Institut (WSI) der Technischen Universität München (TUM) wird von Prof. Ian Sharp geleitet und konzentriert sich auf die Erforschung von funktionalen Halbleitern, Katalysatoren und Grenzflächen für die Umwandlung erneuerbarer Energien. Ein besonderer Schwerpunkt dieser Forschung ist die Gestaltung und Charakterisierung künstlicher Photosysteme für die direkte Aufnahme und Umwandlung von Sonnenlicht in chemische Brennstoffe (z.B. solare Wasserspaltung und Kohlendioxidreduktion). Zu den wichtigsten Forschungsbereichen gehören die Entwicklung neuer Halbleiter-Lichtabsorber, die Stabilisierung und Aktivierung von (photo)elektrochemischen Grenzflächen sowie die mechanistische Aufklärung grundlegender Schritte bei der Umwandlung von Licht in chemische Energie. Im Rahmen des H2Demo-Projekts wird die Sharp-Gruppe (Photo-)Korrosionsmechanismen untersuchen und dieses Wissen nutzen, um effiziente Photokathoden-Grenzflächen mit langfristiger Betriebsstabilität zu entwickeln.

Schlüsselpublikationen

1. F.M. Toma, J.K. Cooper, V. Kunzelmann, M.T. McDowell, J. Yu, D.M. Larson, N.J. Borys, C. Abelyan, J.W. Beeman, K.M. Yu, J. Yang, L. Chen, M.R. Shaner, J. Spurgeon, F.A. Houle, K.A. Persson, & I.D. Sharp, Mechanistic insights into chemical and photochemical transformations of bismuth vanadate photoanodes, Nature Comm. 7, 12012 (2016).
2. J. Yang, J.K. Cooper, F.M. Toma, K.A. Walczak, M. Favaro, J.W. Beeman, L.H. Hess, C. Wang, C. Zhu, S. Gul, J. Yano, C. Kisielowski, A. Schwartzberg, I.D. Sharp, A multifunctional biphasic water splitting catalyst tailored for integration with high-performance semiconductor photoanodes, Nature Materials 16, 335 (2017)
3. G. Segev, J.W. Beeman, J.B. Greenblatt, I.D. Sharp, Hybrid photoelectrochemical and photovoltaic cells for simultaneous production of chemical fuels and electrical power, Nature Materials 17, 1115 (2018).
4. A. Henning, J.D. Bartl, A. Zeidler, S. Qian, O. Bienek, C.‐M. Jiang, C. Paulus, B. Rieger, M. Stutzmann, I.D. Sharp, Aluminum Oxide at the Monolayer Limit via Oxidant‐Free Plasma‐Assisted Atomic Layer Deposition on GaN, Advanced Functional Materials, 2101441 (2021).