In dem Projekt H2Demo werden Prozesse zur Herstellung wirtschaftlicher III-V-Si Tandemstrukturen und die dazu notwendige Anlagentechnik entwickelt. In Arbeitspaket 2 liegt der Schwerpunkt auf der Entwicklung von Hochdurchsatz Epitaxie-Prozessen, welche in Zukunft zu einer signifikanten Kostensenkung beitragen sollen. Dies soll zuerst für GaAs Einfachsolarzellen umgesetzt werden, welche bei Wachstumsraten > 60 µm pro Stunde in wenigen Minuten epitaxiert werden. Ausgehend davon sollen die innovativen Epitaxieprozesse für das Zieldevice einer direkt auf Si gewachsenen GaAsP/Si Tandemsolarzelle optimiert werden. Zum Abschluss wird eine industrielle Bewertung erfolgen mit dem Ziel einer Industrialisierung dieser Prozesse und einem genauen Verständnis der erzeugten Kostenvorteile.